پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

فرمت فایل : پاورپوینت

قابل ویرایش

تعداد اسلایدها :   20   اسلاید

فهرست مطالب:

تعریف

ایجاد ترانزیستور اثر میدان (FET)

بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن

علامت اختصاری FET

منحنی مشخصه FET

ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده

N Channel Mosfet

MOSFET P-channel

Complementary MOS CMOS

بخشی از اسلایدها :

کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود.

ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می ‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک ‌قطبی محسوب کرد.

اتصال منبع ولتاژ بین دو پایه درین و سورس به طوری که درین نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :

• افزایش ولتاژ باعث عبور جریان از کانال می شود.
• اتصال pn در گرایش معکوس قرار می گیرد.
• ناحیه تخلیه (سد) در داخل کانال نفوذ می کند
• با افزایش بیشتر ولتاژ کانال مسدود می شود. (ولتاژ بحرانیVp)

در هنگام رسیدن به ولتاژ بحرانی جریان FET به حداکثر (جریان اشباع درین – سورس) می رسد.

افزایش بیش از حد ولتاژ درین – سورس باعث شکست بهمنی یا سوختن ترانزیستور می شود.

اتصال منبع ولتاژ بین گیت و سورس در جهت معکوس باعث:

– گسترش هر چه سریعتر ناحیه  تخلیه در کانال

در صورتیکه ولتاژ درین – سورس را بیش از ولتاژ بحرانی انتخاب کنیم:

با افزایش ولتاژ گیت سورس سرانجام جریان درین صفر خواهد شد. که به این ولتاژ ، ولتاژ قطع یا آستانه نامیده می شود.