دانلود رایگان مقاله انگلیسی

عنوان انگلیسی مقاله:

Voltage stability boundary and margin enhancement with FACTS and HVDC

عنوان فارسی مقاله:

افزایش حاشیه و مرز پایداری ولتاژ با FACTS و HVDC

سال انتشار:2016

ناشر:elsevier

تعداد صفحات انگلیسی :10

تعداد صفحات فارسی به فرمت word قابل ویرایش :42

a b s t r a c t

Voltage stability is a major concern of today’s power system, especially under heavily loaded conditions because of reactive power limits. FACTs devices are

very effective solution to prevent voltage instability and voltage collapse due to fast and very flexible control. In this paper, the impacts of SVC, STATCOM, TCSC and HVDC on voltage stability boundary (VSB) in P–Q plane have been studied. The bus impedance matrix and load flow results are used to find the voltage stability boundary. The Zbus is modified to take into account the effect of FACTS on VSB. The variable susceptance model for SVC and variable series impedance power flow model for TCSC are used in Newton Raphson’s method. The STATCOM is modelled as variable voltage source connected in series with an equivalent impedance of the shunt connected transformer. Similarly HVDC is also modelled as two STATCOMs connected at each end of the line one as rectifier and another as inverter. Some important bus and line stability indices are evaluated to determine the most effective location for SVC/STATCOM and TCSC/HVDC respectively in order to achieve the maximum enhancement of voltage stability margin. The study has been carried out on IEEE-14 bus and IEEE-30 bus test systems using MATLAB programming. A comprehensive study is done to compare the effectiveness of FACTS devices and HVDC on voltage stability margins.

چکیده

پایداری ولتاژ یک از نگرانی‌ها اصلی سیستم قدرت امروزی مخصوصا در شرایط بارگذاری زیاد بخاطر قیود توان راکتیو است.ادوات FACTS یکی از راه‌حل‌های بسیار مناسب برای جلوگیری از عدم پایداری و فروپاشی ولتاژ هستند که دلیل آن کنترل انعطاف‌پذیر و سریع آنها است.در این مقاله تاثیرات SVC ،STATCOM ،TCSC و HVDC بر روی مرز پایداری ولتاژ(VSB) در صفحه P-Q مورد بررسی قرار گرفته است.ماتریس امپدانس و نتایج پخش بار برای پیدا کردن مرز پایداری ولتاژ استفاده شده‌اند.  برای‌ در نظر گرفتن تاثیر FACTS بر روی VSB اصلاح می‌شود.مدل سوسپتانس متغییر برای SVC و مدل پخش توان امپدانس سری متغییر برای TCSC در روش نیوتن رافسون استفاده شده‌اند.STATCOM بعنوان یک منبع ولتاژ متغییر متصل شده بصورت سری با یک امپدانس معادل ترانسفورماتور اتصال شنت ،مدل‌ می‌شود.بصورت HVDC نیز بعنوان دو STATCOM که به انتهای هر خط یکی بعنوان یکسوساز و دیگری بعنوان اینورتر متصل شده‌اند ،مدل می‌شود.تعدادی از شاخص‌های مهم پایداری خط و باس بترتیب برای تعیین مناسب‌ترین مکان برای SVC/STATCOM و TCSC/HVDC بمنظور رسیدن به ماکزیمم افزایش حاشیه پایداری ولتاژ ،مورد ارزیابی قرار می‌گیرند.مطالعه بر روی سیستم آزمایش 14 و 30 باسه IEEE با استفاده از برنامه‌ریزی متلب ،انجام شده است.یک مطالعه جامع برای مقایسه کارایی ادوات FACTS و HVDC بر روی حاشیه‌های پایداری ولتاژ انجام می‌شود.