پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدان فرمت word

دانلود فایل

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدان فرمت word

1541231150 4195 - پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدان فرمت word

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدان فرمت word تعداد صفحات : ۸۲ چکیده با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده­ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه­ ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می­رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می­شود . این کوچک شدگی نگرانی­ هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که