پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدان فرمت word

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدان فرمت word تعداد صفحات : ۸۲ چکیده با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزایندهای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار میرود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف میشود . این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که